Новый чип использует высокоплотную структуру DRAM, преобразованную для автоматического обновления изнутри микросхемы. Благодаря этому отпадает необходимость в использовании внешнего управляющего устройства, и микросхема становится взаимозаменяемой с чипами SRAM, объединяя в себе высокую производительность, плотность информации и низкий уровень потребления питания. Конструкция uPD4664312 позволяет достичь рассеяния мощности в режиме ожидания на уровне 60 мкА (максимальный уровень 100 мкА), а в режиме "Power-down" рассеяния на уровне 10 мкА, не нарушая целостность данных.

Микросхема изготовлена по технологии 0,18 мкм, используется организация данных 4M x 16, корпус реализован в виде 93-контактного fine pitch ball-grid array (FBGA). uPD4664312 использует страничный режим из 8 слов и режим частичного обновления, который позволяет выбирать объем сохраняемых данных между 16Мбит, 8Мбит и 4Мбит.

NEC начинает изготовление uPD4664312 с января, а в массовое производство микросхема пойдет с мая 2002 года. Планируется изготовление около 50 тысяч единиц в месяц.