26 сентября корпорация Intel объявила о выпуске 3 Volt Synchronous StrataFlash — нового типа флэш-памяти, использование которого позволяет добиться увеличения скорости обмена информацией в 4 раза по сравнению с традиционными флэш-чипами. Подобный эффект достигается за счет использования быстрого пакетного режима доступа к памяти, который при рабочей частоте чипа, равной 66 МГц, позволяет достичь скорости передачи данных до 92 Мб/с. При этом в отличие от асинхронной флэш-памяти, считывание данных в которой происходит побайтно, причем на считывание одного байта уходит около 90 нс, 3 Volt Synchronous StrataFlash считывает данные пакетами по 16 байт, на что требуется 305 нс. Для устройств и программ, не поддерживающих синхронный пакетный режим, скорость считывания данных увеличивается вдвое за счет совершенствования постраничного режима доступа.
Новая память рассчитана на использование в мобильных устройствах типа сотовых телефонов и КПК, причем благодаря высокой скорости работы 3 Volt Synchronous StrataFlash может в ряде случаев стать заменой микросхемам ОЗУ. В настоящее время в опытном производстве находятся 128-мегабитные чипы, а в апреле будущего года будет развернуто производство микросхем 3 Volt Synchronous StrataFlash емкостью от 64 до 256 Мбит, стоимость которых составит от 10 до 35 долл.
Следует также обратить внимание еще на одну особенность памяти StrataFlash — возможность хранения в одной ячейке сразу 2 бит информации, что позволяет добиться улучшения показателя цена/емкость. Компания планирует и дальше совершенствовать технологии. Так, весной стало известно о разработке Intel совместно с компанией Azalea Microelectronics нового типа высокопроизводительной флэш-памяти, способной хранить в одной ячейке 4 бита информации.
На рис.: чипы памяти 3 Volt Synchronous StrataFlash в различном конструктивном исполнении