На открывшейся 22 сентября в Сан-Франциско (США) осенней сессии форума для разработчиков IDF (Intel Developer Forum) были представлены первые в мире рабочие образцы микросхем, выполненных по 22-нанометровой технологии.

Пол Отеллини демонстрирует микросхемы, выполненные по 22-нанометровой технологии.
Презентацию провел исполнительный директор Intel Пол Отеллини. «Своими усилиями мы продлеваем действие закона Мура, — заявил г-н Отеллини. — Производство первого микропроцессора по 32-нанометровой технологии [Westmere], который получил в свое распоряжение интегрированный графический контроллер, уже началось. Мы, однако, не привыкли останавливаться на достигнутом и одновременно развиваем 22-нанометровый технологический процесс».

Г-н Отеллини продемонстрировал образцы выполненных по 22-нанометровой технологии микросхем памяти SRAM, часть ячеек памяти в которых имеет рекордно малую площадь — всего 0,092 кв. мкм. Ячейки чуть бóльших размеров (0,108 кв. мкм) оптимизированы для работы при низких напряжениях; вместе эти два типа ячеек образуют массивы объемом 364 Мбит.

Тестовые микросхемы содержат 2,9 млрд транзисторов, которые размещаются на участке поверхности размером с ноготь. При их производстве использовались современные транзисторы с металлическим затвором и диэлектриком с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости; необходимую точность обработки обеспечивал фотолитографический процесс, в котором задействовано излучение с длиной волны всего 193 нм.

Тестовый экземпляр микросхемы памяти SRAM, изготовленной по 22-нанометровому технологическому процессу.

No related posts.