Микрочип памяти GDDR4 от Hynix
По утверждениям производителя, представленная микросхема (16M x 32) обеспечивает пропускную способность до 11,6 Гб/с и по производительности практически в два раза превосходит использующуюся в современных графических ускорителях память GDDR3.

В ближайшее время Hynix Semiconductor намерена начать поставки образцов микрочипов памяти GDDR4 разработчикам видеокарт. Массовое производство микросхем, как ожидается, будет развернуто в начале следующего года. Кроме того, во второй половине 2006 года Hynix Semiconductor намерена представить еще более высокоскоростную память GDDR4, пропускная способность которой составит 14,4 Гб/с.

Разработкой микрочипов высокопроизводительной памяти следующего поколения для графических контроллеров занимаются и другие известные компании. Например, южнокорейская Samsung Electronics в октябре нынешнего года продемонстрировала микрочип GDDR4 объёмом в 256 Мбит. Правда, разработка Samsung обладает меньшей по сравнению с микросхемой Hynix пропускной способностью, сообщает PC World. По всей видимости, массовый выпуск чипов GDDR4 компания Samsung также начнет в следующем году.