Японская компания Sanken Electronics в сотрудничестве с промышленным университетом префектуры Нагоя разработали технологию, позволяющую существенно снизить издержки производства светодиодов на основе нитрида галлия (GaN). В качестве основных элементов существующих GaN светодиодов используются дорогостоящие сапфировые пластины и кристаллы карбида кремния (SiC), а в основе разработанной технологии лежит переход к использованию силиконовых пластин.

Экспериментальные светодиоды
Экспериментальные образцы новых светодиодов доказали, что они не уступают существующим на рынке аналогам по показателю световой мощности, хотя, в то же время, продемонстрировали свою несостоятельность в отношении яркости свечения. Причиной блеклости излучаемого света является, прежде всего, высокий показатель уровня порогового напряжения, составляющий +4,1В (у существующих на рынке аналогов — +3,5В). В настоящее время участники совместной разработки заявляют, что вышеуказанный недостаток планируется исправить к осени 2002 года.

Электролюминесценция GaN светодиодов происходит на основе многослойных гетероструктур InxGa1-xN и при изменении содержания индия (In) можно получать различные цвета свечения, что значительно расширяет границы промышленного применения светодиодов. Основным ограничителем в этом процессе является сравнительно высокая цена, которая, например, в случае с красными светодиодами, колеблется на японском рынке от 50 до 60 йен (37-45 центов) за штуку. По существующим оценкам новая технология позволяет снизить издержки производства приблизительно в 10 раз и тем самым частично разрешить вечную проблему.

Наличие некоторой ясности в отношении цены не может компенсировать тот факт, что компании, в основном по конъюнктурным соображениям, не спешат называть даже приблизительные сроки начала массового производства новых светодиодов.

No related posts.